ESH3DHE3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | ESH3DHE3/9AT |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | ESH3 |
ESH3DHE3/9AT Einzelheiten PDF [English] | ESH3DHE3/9AT PDF - EN.pdf |
CAP ALUM RAD 105C
CAP ALUM RAD 105C
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A SOD128
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
CAP ALUM 4.7UF 20% 50V RADIAL
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
CAP ALUM 4.7UF 20% 50V RADIAL
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
20NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
VISHAY SMC
2024/05/9
2024/08/22
2024/11/15
2024/06/3
ESH3DHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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